中微等离子体刻蚀设备Primo AD-RIE(TM)运抵中芯国际

时间: 2023-12-05 20:36:38 |   作者; 雷火竞猜官网首页

  ON China 展会期间宣布，中微第二代等离子体刻蚀设备 Primo-RIE™ 正式装配国内技术最先进的代工企业中芯国际，用于32纳米至28纳米及更先进的芯片加工。这是继去年 SEMICON West 展会期间 Primo AD-RIE™ 正式对外发布以来，中微 Primo AD-RIE™ 设备首次进入中国大陆客户生产线。目前，中微第一代等离子体刻蚀设备 Primo D-RIE™ 已在中国建立了稳固的市场地位。Primo AD-RIE™ 设备也已进入***客户的生产线。

  到目前为止，中微的刻蚀设备已进入11家客户的14条芯片生产线，客户涵盖中国大陆、***、新加坡和南韩等地的整合器件制造商(IDM)、晶圆代工厂、芯片封装厂等。这其中也包括中微近日发布的 TSV 硅通孔刻蚀设备 Primo TSV200E™，为中微开辟了新的市场。综合看来，中微的设备均拥有生产率高、工艺性能出色、操作简单便捷、成本竞争优势显著等优点。随着亚洲地区对半导体设备的需求日渐增长，中微不断拓展产品线使之日趋多元化，从而迈入了加快速度进行发展的轨道，2011年中微的销售额较2010年增长了两倍多。同时，为满足企业自身发展的需求，中微位于上海的二期大楼也将竣工，届时将增加10,000平方米的生产基地。

  Primo AD-RIE™ 设备是中微第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备，可满足多种关键生产的基本工艺要求。继第一代已被业界广泛认可的 Primo D-RIE™ 之后，Primo AD-RIE™ 采用了更多技术创新点，以解决生产复杂的22纳米至14纳米芯片所带来的挑战，同时确保芯片加工的质量。这些技术创新点包括：可切换频率的射频系统保证了刻蚀的灵活性和可重复性，更好的调谐能力确保了超精细关键尺寸的均匀度和可重复性，改良的反应室室内材料减少了工艺缺陷并降低了成本消耗。

  “我们很高兴中微在中国的第一台 Primo AD-RIE™ 设备能进入国内领先的晶圆代工厂，”中微副总裁兼刻蚀产品事业群总经理朱新萍说道，“与中微第一代产品类似，Primo AD-RIE™ 设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%以上，占地面积较其他同类设备减少了30%以上，并能使加工晶圆的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE™ 设备已成为市场上生产率最高、单位投资产出率最高的先进刻蚀设备，用在所有关键及通常的工艺应用。”

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  因产品配置不同,价格货期需要电议,图片仅供参考,一切以实际成交合同为准射频

  源 RF2100ICP Plasma Source上海伯东代理美国 KRi 考夫

  的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这样的一个过程是在带有

  技术的应用限制范围正在逐步扩大。在半导体制造、杀菌消毒、医疗前线等诸多领域，利用

  的动力学特征从原始的向外扩散变更为放电空间内阳极和阴极之间的漂移运动。

  轰击会产生大量的热能，因此必须有一个背面気气冷却系统和静电夹盘控制晶圆的温度。

  能量主要根据反应室的温度，是200~400℃或0.04〜0.06eV。

  腔体和腔体内部件的防护材料。但是随着半导体器件最小特征尺寸的减小和晶圆尺寸的增大，为了获得更高的

  技术与其他表面处理方法相比有哪些主要优点? 与其他表面活化方法相比，最主要优点是具有高效率。

  系统能够很容易地集成到现有生产线里，它环保，节约空间，还具有低运行成本的优势。

  （Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蚀刻。

  清洗技术自问世以来，随着电子等行业的加快速度进行发展，其应用场景范围逐渐扩大，用于活化蚀刻和

  处理，并在表面分析装置(XPS、螺旋钻等)的真空下转移（为了尽最大可能避免空气暴露

  spec-troscopy,LIBS)是近年发展起来的一种基于激光与材料相互作用的物理学与光谱学交叉的物质组分定量分析技术[1-3]。其原理是利用聚焦的强激光束入射样品表面产生激光

  成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁，并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6

  性物质，并选择化学物质，使得这些物质与待蚀刻的固体反应，形成挥发性产物。

  放电。推导出了沉积气体混合物的组成与根据蚀刻和沉积速率定义的无量纲数(EN

  Twin-Star 以更小的占地面积、更低的生产所带来的成本和更高的输出效率，进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种

  ”)在本周举办的SEMICON China期间正式对外发布了第一代电感耦合

  的研发、技术的新应用、市场布局的调整和拓展、新业务的探索和展开等许多方面取得了积极的进展。

  发生器电源效率不高、驱动管热损耗大等问题，设计了一个高效率低损耗的高频高压

  发生器。该系统通过移相全桥控制电路进行PWM方波控制，在功率晶体管驱动下，经高频谐振升压电路

  可以通过多种方式来产生，常见的方法最重要的包含：热电离法/射线辐照法/光电离法/激波

  法/气体放电法等。气体放电是指气体在电场的作用下被击穿引起的导电现象，而低温

  的产生方式主要是通过气体放电来实现的。下面主要介绍通过气体放电来产生低温

  机，性能优良，将用于全球首条5纳米芯片制程生产线”，并评论说“中国芯片生产技术终于突破欧美封锁，第一次占领世界制高点”“中国弯道超车”等等。

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  机经台积电将用于生产线纳米，相当于头发丝直径的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划明年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。最近，

  （Plasma）是由以太坊联合发起人Vitalik Buterin和Joseph Poon共同提出的。该概念于2017年8月作为以太坊的扩容解决方案诞生。与Thaddeus Dryja

  废气处理技术正越来越引起人们的重视，它是未来环保产业的重要发展趋势。由于强温室气体SF6本身的理化特性，

  处理SF6面临着更多的挑战，目前该方面的研究综述鲜见。本文尝试根据国内外

  的气体温度空间分布特性参数，搭建了一套基于莫尔偏折原理的光学检测系统，对铜电极

  领域中经典的综述论文，从理论研究和实际应用两方面总结和分析了大气压低温

  预置的物理场接口，工程师或科学家可以探究物理放电机理或用于评估现有或未来设计的性能，例如直流放电、感应耦合

  放电点火的基本电压电流关系入手，获得其运行区域之内的非线性负电阻特性的关系，分析研究其稳定性，并以此为基础，建立一套能迅速控制电弧电压在稳定范围内，采用高频引弧，并在较强磁场控制下获得稳定功率的定向流动的

  弧柱区域的能量方程、动量守恒、质量守恒及电流连续性方程。得到温度、速度、电流密度分布。

  理论和Boltzmann方程，给出了粒子数密度守恒方程。通过牛顿运动定律建立了

  ”）于本周SEMICON West期间发布面向22纳米及以下芯片生产的第二代300毫米甚高频去耦合反应

  又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的

  间形成表面波的传输，具有一定电场强度的表面波在其传输的范围内可生成和维持高密度的

  辐射X光子特性:在神光Ⅱ高功率激光装置上，实验研究了激光斜辐照形成的激光

  喷射X光时空分辨测量:在“神光”强激光装置上对0.53 μm 激光产生的

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  电极电光开关特性参数测量:建造一套电光开关参数测量系统，具备时间分辨、空间分辨及全口径平均测量能力。介绍了240mm×240mm

  放电具有大幅度降低放电电压和放电气压的优点，是PEPC首选的放电途径。通过对不同尺寸、

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  而言有很多的优点，具有极高的工业应用价值。但在大气条件下，大体积的微波

  与微波相互作用的实验研究:设计制造了含特定组分的化学药剂，利用热力学方法对其在大气

  匀速运动产生辐射的机理。从理论上推导了辐射场强的解析表达式和特征值形式，并通过对特征值讨论得