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赛微电子:公司已研制出包含深反应离子刻蚀等在内的100余项MEMS中心世界专利相关专利技能能推行移植至25D和3D晶圆级先进集成封装渠道

时间: 2023-12-27 22:10:33 |   作者; 雷火竞猜官网首页

  (原标题:赛微电子:公司已研制出包含深反应离子刻蚀等在内的100余项MEMS中心世界专利,相关专利技能能推行移植至2.5D和3D晶圆级先进集成封装渠道)

  同花顺(300033)金融研究中心8月10日讯,有出资者向赛微电子(300456)发问, 敬重的董秘,公司北京及瑞典抢先的TSV硅通孔工艺是否适用于先进封装技能?

  公司答复表明,敬重的出资者您好,公司是全球抢先的MEMS芯片制作商,长时间专心于MEMS工艺开发及晶圆制作事务,具有优胜的技能水平和工艺开发才能,具有超越10年的面向全球的量产经历以及不断拓宽的规划量产才能,公司是业界最早成功开发适于规划化量产的成套TSV制作工艺技能的公司,TSV(硅通孔)技能是完成三维系统集成所有必要的首要工艺;企业具有现在业界抢先的TSV绝缘层工艺和制作渠道,已研制出包含深反应离子刻蚀等在内的100余项MEMS中心世界专利,相关专利技能能推行移植至2.5D和3D晶圆级先进集成封装渠道,可认为完成功用化晶圆级封装和三维集成供给确保。谢谢重视!

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