国产刻蚀机大前进：到达3nm拿下国内60%比例逼退美企

  设备的本钱来看，光刻设备占其间的20%，而蚀刻设备占其间的23%，两者占其间的43%的比例，足以证明光刻--蚀刻有多重要了。

  光刻与蚀刻也是成套运用的，光刻工艺后，便是蚀刻工艺，缺一不行，不行代替。

  而光刻机方面，国内的技能很落后，这个我们都清楚的。但刻蚀机方面，国内的技能可不差，完全是国际先进水平。

  之所以这么强，是因为一个企业，那便是中微半导体，由尹志尧博士于2004年创建。

  在创建中微半导体之前，尹志尧博士曾在英特尔、泛林、使用资料等企业均工作过，积累了很多的经历、技能和人脉。

  依照媒体的说法，尹志尧个人在半导体职业具有86项美国专利和200多项各国专利，被誉为“硅谷最有成果的华人之一”。

  后来他看到我国半导体技能相对落后，所以在2004年的时分，他带着钱，带着一批精英人才回国（据称第一批是15个），创办了中微，誓要打破国外的独占。

  在2007年的时分，中微研制出了第一代介质刻蚀机，而且全球初次选用可单立操作的双反响台，功率乃至比国外同种类型的产品还要高30%。

  然后中微不断的尽力，中微的刻蚀机技能不断的前进，到达了全球最先进的水平，现在现已被用于某晶圆厂的3nm芯片生产线中。

  而近来，中微更是表明，中微在我国电容耦合等离子体（CCP）刻蚀设备商场的商场占有率估计将从上一年10月的24%增至60%。在电感耦合等离子体（ICP）东西商场，其比例或许会从简直为零上升到75%。

  算计来看，中微今年在国内的刻蚀商场占有率，或许提升至60%，而之前占有主导地位的美国泛林半导体、使用资料等，悉数被中微打的节节败退了。

  接下来，期望其它国产半导体设备，特别是光刻机，也可以像中微的刻蚀机相同，到达全球领先水平，完成5nm、3nm，那么我国芯片工业，就再也不怕美国卡脖子了。