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国产3nm刻蚀机攻坚!中微尹志尧:中国芯落后5-10年

国产3nm刻蚀机攻坚!中微尹志尧:中国芯落后5-10年

时间: 2024-03-12 04:18:57 |   作者; 雷火竞猜官网app下载

    2004年,尹志尧成立中微公司,专注于研发半导体设备。2019年,中微公司在科创板首批挂牌上市,从事高端半导体设备的研发、生产与销售。在2020年度业绩说明会上,尹志尧表示,公司的等离子体刻蚀设备

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  2004年,尹志尧成立中微公司,专注于研发半导体设备。2019年,中微公司在科创板首批挂牌上市,从事高端半导体设备的研发、生产与销售。在2020年度业绩说明会上,尹志尧表示,公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产。

  2020年度报告数据显示,中微公司2020年公司实现盈利收入22.73亿元,同比增长16.76%;实现归属于上市公司股东的净利润4.92亿元,同比增长161.2%;扣非归母净利0.23亿元,同比下降84.19%。报告期内,公司刻蚀设备收入为12.89亿元,同比增长约58.49%。

  报告指出,净利润增长问题大多受以下两方面因素影响:一是中芯国际科创板股票投资公允市价变动收益约 2.62 亿元;二是公司 2020 年计入非经常性损益的政府救助较2019 年增加约 2.26 亿元。另外,受到股权激励计划的影响,扣非归母净利同比下降84.19%。

  随着半导体设备行业景气度持续提升,2020年中微公司半导体刻蚀设备业务快速地增长,带来了17.89亿元的收入,同比增长58%。

  尹志尧表示,公司正在开发新一代刻蚀设备,能够涵盖 5 纳米以下更多刻蚀需求和更多不同关键应用的设备。3nm刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估已完成。在3D NAND芯片制造环节, 64 层 3D NAND 闪存已进入大生产,96 层和 128 层闪存已处于批量生产阶段。MOCVD 设备已达到能分别实现单腔 14 片 4 英寸和单腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。

  从财报以及企业未来的发展进程上能够准确的看出,中微公司正迎来加速成长期,在2020年这个特殊的时间点,业绩超市场预期,实现净利增长1.6倍实属不易。在2021年第一季度,中微公司同样带来了亮眼的成绩。第一季度报告数据显示,公司第一季度实现盈利收入4.1亿,同比增长9.65%;归属于上市公司股东的净利润0.26亿,同比增长89.47%。

  尹志尧曾提到,国内芯片发展其实速度很快。在中端和低端的芯片上已经具有相当实力,像国际上最先进的晶圆厂,5纳米已经量产,而且3纳米很快就进入量产了。但是在高端芯片上还有相当的差距,还受制于国外的设备。逻辑器件技术水平上差三代左右,也就是5到10年的差距。

  当下,半导体设备市场主要由欧美、日本、荷兰等国家的企业所占据,泛林半导体、东京电子、应用材料占据全球刻蚀设备市场占有率。随着我们国家半导体设备行业整体水准不断提高,逐步缩短与发达国家的差距,走上一条“突围之路”。

  尹志尧在杨澜访谈录节目《逐风者》专访时提到,我国在芯片产业链上虽然还落后,但也有自己的优势。“我们从芯片的设计到芯片的制造、设备、材料等产业链的各方面都有布局,各环节比较完备。接下来,我们必须要做的就是在保持国产企业优势的基础上,让各个产业链的关键环节有超常的发挥”。

  全球半导体设备市场在2020年逐渐回暖,增长态势延续到今年。调查数据显示,2021年,半导体设备市场规模将达到668亿美元,半导体设备国产替代成为大趋势,“缺芯潮”的出现更是加速替代进程。

  近年来,国内已孕育出一批在半导体设备领域具备技术实力的企业,例如中微半导体、中芯国际、上海微电子、紫光国微、北方华创、长电科技、屹唐半导体等等,覆盖半导体设备的各个细分领域。在芯片产业快速发展的过程中也出现了一些新的矛盾,包括公司规模不对称、准入不对称等。

  公司规模的不对称。比如国外占垄断地位的公司,它的收入和研发投入都是我国相似公司的20倍左右。这就有问题了,如果差了3代、5代,结果人家的研发经费是我的20倍,那一个公司怎样单打独斗能够尽快赶上去?这是一个非常难的事情。

  市场准入的不对称。例如,国内生产线买我们的设备,差不多的设备能用就用了;但要打到国外去,性价比一定要高,这样人家才愿意试用你的设备,门槛是慢慢越来越高的。

  这里关键最大的问题,还是研发经费。特别是公司上市以后,如果要盈利,唯一的办法就是砍研发。

  尹志尧提到,投资一条5nm的生产线%左右是用于买设备,大类有十几类,细分设备达到170多种,这是一笔巨大的投资。光刻机公司ASML过去20年花费约1500亿人民币,中微公司过去16年也花费了约20亿人民币。

  2020 年年报显示,中微公司全年研发投入总额为 6.40 亿元,同比增长50.69%,约占营业收入 28.14%。主要用于包括存储器刻蚀的 CCP 和ICP 刻蚀设备、 Mini-LED大规模生产的高输出量 MOCVD 设备、 Micro-LED 应用的新型 MOCVD 设备等新工艺的开发。

  虽然研发投入占比较高,但总额仍与国外领先的半导体公司有很大差距。根据海外公司公告的最新财报显示,应用材料年度研发投入超 22 亿美元,泛林半导体年度研发投入超 12 亿美元。如果未来研发资金投入不足,不能满足技术升级需要,可能导致公司技术被赶超或替代的风险,对未来的经营业绩产生不利影响。

  工欲善其事,必先利其器。只有先进的生产设备才能追得上这十年的落后,实现半导体设备的国产化。

  尹志尧认为,国内的半导体产业具备后发优势。在产业链上,我们在芯片的设计、制造、材料等产业链的各方面都有布局,各环节比较完备。在专业的人才上,华人在集成电路的历史上起到了非常关键的作用。目前最先进的5纳米、3纳米的三极管的结构,其实是一位华人教授胡正明早提出来的。“近40年来,从美国起源的芯片技术不断向亚洲转移。现在国际上百分之八十以上的生产线都建在亚洲。”

  尹志尧强调应该加强中国人才培养,加强产研交流,产业、教育和科研之间,一定要想办法真正找到一个结合点。

  “集成电路是多种知识的集成,光是做半导体设备,就需要50个学科并用。业界技术专家和高校教授之间应该有更多的交流,因为学校教育通常相对滞后于产业的发展,希望也能请一些业界的人到学校做客座教授,或者做一些科学讲演,让学生也可以到公司来做实习。”

  在芯片半导体行业“春秋战国”时期,竞争不断。“这是一个既好又不好的现象。好的地方在于很热,大家都希望把它做好;不好的地方就是太多的重复性劳动,而且互相内部的竞争也多”,尹志尧认为,需要做一些宏观调控,防止出现烂尾工程。

  谈到国际竞争尹志尧认为,企业之间应该用实力、更好的设计、设备性能去竞争。美国本土能够做的芯片、设备也是有限的,如果要做一条生产线,也有将近一半的设备和材料要从日本、欧洲和亚洲进口。也不可能可以独立自主的做起来。

  “无论是怎样的公司,一旦进入国际市场,一定要按照国际规则做事,一是在专利方面,在不侵权的同时有自己的专利保护,二是要尊重各国对出口的限制和管制,尊重各个国家的利益。”

  国产芯片要想弯道超车,未来的道路还很漫长。中微公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划:深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。

  为了解决芯片产能问题,半导体公司积极寻求新的方案以解决缺芯危机,多家企业计划将定增融资,包括北方华创、立昂微等计划通过融资深度布局新技术;风华高科拟募集资金投入祥和工业园高端电容基地项目;台积电核准28.87亿美元预算,将在南京厂扩充2万片28nm的月产量等等。

  “半导体设备什么时候能实现国产化”成为严峻的国际形势下业内人士普遍关注的话题。从现阶段看,国内厂商与全球龙头技术差距正在逐渐缩短,国产替代迎来机遇期。中微公司掌握5nm刻蚀技术的消息给半导体行业的发展带来了信心,半导体设备自给率逐步的提升,中国芯片制造产业链的逐渐成熟,芯片制造工艺继续向5nm及以下挑战,长期依赖进口的局面将有所改变。

  尹志尧提到,中国人注重数理化,工程技术,又有耐心,最适合搞集成电路。“只要我们有一定的耐心,将来一定会变成全球芯片领域先进的国家”。

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