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屹唐半导体科创板IPO进展缓慢!干法去胶设备市占率全球第一募资30亿

屹唐半导体科创板IPO进展缓慢!干法去胶设备市占率全球第一募资30亿

时间: 2023-12-12 23:28:17 |   作者; 雷火竞猜官网app下载

    截至2021年6月底,屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3800台,在集成电路制造设备的细致划分领域占据领头羊。根据Gartner统计数据,2020年屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备的市场

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  截至2021年6月底,屹唐半导体产品全球累计装机数量已超过3800台,在集成电路制造设备的细致划分领域占据领头羊。根据Gartner统计数据,2020年屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备的市场占有率分别位居全球第一、第二。

  从营收和净利来看,屹唐半导体在2018年、2019年、2020年、2021年上半年实现的营业收入分别是15.18亿元、15.74亿元、23.13亿元、14.17亿元,营收持续稳定增长,2020年增速提速,达46.95%。报告期内,屹唐半导体曾在2019年出现净利亏损,2020年、2021年上半年实现归母纯利润是2476.16万元、9519.93万元,2022年有很大希望突破亿元大关。

  屹唐半导体主要为集成电路制造公司可以提供干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备,并提供备品备件及相关服务。从主营业务看,专用设备为营收最主要的来源,贡献6成以上。而在专用设备业务当中,干法去胶设备出售的收益顶级规模,报告期内该产品实现的收入分别是3.53亿元、5.93亿元、10.80亿元、5.89亿元,分别占主要经营业务收入的比例为23.26%、37.67%、46.71%、41.57%。报告期内,屹唐半导体干法去胶设备销售大幅度的提高,市场占有率 逐年由全球第三提升至全球第一,而干法去胶设备平均单价相比来说较低,2020年售价大约729.92万元/台。

  在屹唐半导体干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备三大设备中,2020年收入增速分别为82.24%、12.35%、155.55%,干法刻蚀设备是唯一实现翻倍增长的产品。

  据了解,屹唐半导体的干法去胶设备、快速热处理设备主要可应用于90纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产;干法刻蚀设备主要可应用于65纳米到5纳米逻辑芯片、1y到2x纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。

  报告期内,屹唐半导体销售的专用设备中应用于逻辑芯片领域28nm以内制程的设备台数分别为24台、60台、83台、46台,先进制造设备销售规模快速增长。

  屹唐半导体的干法去胶设备、快速热处理设备已应用在多家国际知名集成电路制造商生产线上并实现大规模装机,主要客户包括台积电、三星电子、中芯国际、长江存储、格罗方德、美光科技、海力士等。

  招股书显示,2018年、2019年、2020年、2021年上半年,屹唐半导体研发费用分别为2.54亿元、2.79亿元、3.28亿元、1.80亿元,占据营业收入的占比分别是16.75%、17.75%、14.20%、12.72%。研发投入逐年加大,2020年研发费用率均高于同行企业北方华创、盛美股份、芯源微、华海清科,仅低于中微公司。

  在研发人员方面,截至2021年6月末,屹唐半导体研发部共拥有157名研发人员,合计占员工总数的比例为23.61%。并拥有发明专利315项,目前形成主要经营业务收入的发明专利超过5项。

  不过在盈利能力方面,屹唐半导体2020年毛利率仅有32.79%,而同行公司中微公司、北方华创、盛美股份、芯源微、华海清科当期毛利率均高于屹唐半导体,分别为37.67%、36.69%、43.78%、42.58%、38.17%。

  此外,在屹唐半导体营收占大头的干法去胶设备领域,其还面临着外海巨头比思科、日立高新、泛林半导体、泰仕半导体的强势竞争。

  为了应对接下来的挑战,屹唐半导体表示,“未来公司将围绕反应腔设计、晶圆传输平台设计、等离子体源设计、晶圆热处理等关键技术进行技术布局,并持续投入研发力量,不断的提高产品的工艺水平和设备性能,研发新产品。”

  此次,屹唐半导体冲刺科创板上市,拟募集30亿元资金,投资“集成电路装备研发制造服务中心项目”、“高端集成电路装备研发项目”和“发展和科技储备资金”。募投项目建设完成后,屹唐北京制造基地的干法去胶设备、快速热处理设备及干法刻蚀设备的生产能力将大幅提升。

  为了提升公司的核心技术水平,屹唐半导体拟将10亿募集资金用于高端集成电路装备研发,重点研发原子层级表面处理及超高选择比刻蚀设备的技术改进、先进干法去胶设备的技术、基于Hydrilis®平台的新一代超高产能去胶设备和刻蚀设备的技术改进、高温真空快速退火及相关一体化半导体处理设备的技术、新型半导体刻蚀设备的技术等。

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