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【并入】奕斯伟计算RISC-V补丁并入开源社区源代码；

时间: 2024-02-25 16:13:01 | 作者; 雷火竞猜官网app下载

5.打造晶圆制造国产化关键一环盛美上海推出Ultra Pmax™️ PECVD设备；集微网消息，由北京奕斯伟计算技术股份有限公司（简称“奕斯伟计算”）贡献的RISC-V相关补丁（Pa

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5.打造晶圆制造国产化关键一环盛美上海推出Ultra Pmax™️ PECVD设备；

集微网消息，由北京奕斯伟计算技术股份有限公司（简称“奕斯伟计算”）贡献的RISC-V相关补丁（Patch）已被GNU、OpenSBI、OP-TEE等开源社区主线纳入源代码。

业内人士表示，RISC-V相关patch并入这几大开源社区源代码具备极其重大意义。作为最流行的开源工具链，在GNU内补充和完善RISC-V patch将辅助开发者更好地完成RISC-V程序开发及调试工作；OpenSBI项目始终致力于为RISC-V平台特有固件提供规范的开源参考实现，是RISC-V芯片厂商建设良好高效的开发环境时重要且不可或缺的一步；OP-TEE作为广为采用的安全操作系统，可帮助实现开源的可信执行环境，确保代码的机密性和不可篡改性。一直以来OP-TEE仅支持Arm架构，随着RISC-V相关patch被逐渐接收，RISC-V生态将补齐TEE OS这重要一环。奕斯伟计算在这些开源社区主线贡献RISC-V patch，逐步提升了RISC-V软件系统适配的自主化与规范化，为RISC-V的长远发展打下坚实基础。

RISC-V作为开源指令集，与整个开源生态关系紧密，基于RISC-V的项目均不同程度使用开源处理器芯片或软件，同时也将在某一些程度影响开源软件的发展，这是RISC-V芯片厂商为开源社区贡献patch的重要原因。

中国科学院计算技术研究所副所长、北京开源芯片研究院首席科学家包云岗表示：“奕斯伟计算等芯片公司参与开源社区建设并积极做出贡献，意味着我国RISC-V产业链上下游企业正在加速完善RISC-V开源软件生态链，逐步建设起与国际开源社区接轨的技术平台。”

资料显示，奕斯伟计算于2019年开始发力RISC-V计算架构自主研发，目前已形成RISC-V软硬一体的全栈平台。硬件方面，奕斯伟计算已完成系列化的32位嵌入式内核处理器开发，并应用于数十款自主研发芯片产品中；64位应用处理器内核已完成验证，相关芯片产品将用于多媒体、边缘计算、可穿戴设备等场景；软件方面，奕斯伟计算持续优化和丰富RISC-V软件栈，构建起包括固件、操作系统内核、基础操作系统、工具链、中间件与应用软件等在内的RISC-V软件生态。

奕斯伟计算Co-CTO陆丰博士表示：“近年来，奕斯伟计算在RISC-V软件生态方面做了大量工作。目前已完成工具链、固件、Linux、TEE OS和Android操作系统对RISC-V架构的适配和移植。今年10月，我们决定开始将芯片和软件研发过程中的积累贡献给社区。在1个月内向数个开源社区主线提交了几十项patch，其中十余项已经评审完成被正式接受。未来，我们将在安全、内核、中间件、应用软件等多个领域，为开源社区做出更多贡献，为建设RISC-V软件生态发挥更大价值。”

集微网消息，据北京日报报道，前11个月，北京地区集成电路进口387.1亿元，增长92.7%，半导体制造设备进口148.9亿元，增长18.5%；集成电路出口230.3亿元，增长30.4%。

去年8月，北京印发《北京市“十四五”时期高精尖产业高质量发展规划》，明白准确地提出做强“北京智造”四个特色优势产业，集成电路产业为其中之一，并要求重点布局北京经济技术开发区、海淀区、顺义区，力争到2025年集成电路产业实现营业收入3000亿元。（校对/韩秀荣）

2022国微芯EDA产品发布会将于12月22日隆重开幕，重磅推出“芯天成”五大系列十四款EDA工具及系统，实现多个行业首创。

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2022年12月11日，中国移动全球合作伙伴大会举办“中国移动产业链创新暨算力网络分论坛”，围绕链合创新、联创未来、算力时代，全方位展示产业链融通生态、群体性突破成果、算力网络创新成效等内容。其中，产学研各单位联合发布的行业首个《存算一体白皮书》引发强烈关注，将成为引导产学研各界规范认知存算一体及其发展的权威宝典。

《存算一体白皮书》由中国移动通信有限公司研究院牵头编写，中兴通讯股份有限公司、华为技术有限公司、清华大学、北京大学、北京知存科技有限公司、曙光信息产业股份有限公司、深圳亘存科技有限责任公司联合编写。全面阐释了存算一体的核心技术、发展路线、应用场景和产业链生态。旨在促进产学研各界凝聚共识、加强合作、协同发展，推动存算一体技术成熟和生态繁荣，加快存算一体产业化进程，助力我国在先进计算领域实现高水平自立自强。

自2022年4月白皮书启动会以来，知存科技与产业界、学术界各单位专家一同，历经逾半年的反复交流、撰写、讨论最终修订成册。其中，尽所能归纳和整理了知存科技存算一体产业化探索的先行经验和洞察。在推动行业标准化、规范化的同时，知存科技也在过程中收获了更加清晰的企业未来的发展目标和愿景。现提炼《存算一体白皮书》部分内容做简要分享，供读者快速预览。

存算一体的核心是将存储与计算完全融合，有效克服冯·诺依曼架构瓶颈，并结合后摩尔时代先进封装、新型存储器件等技术，实现计算能效的数量级提升。

白皮书将广义存算一体技术进行分类，望达成广泛共识。根据存储与计算的距离远近，将广义存算一体的技术方案分为三大类，分别是近存计算（Processing Near Memory, PNM）、存内处理（Processing In Memory, PIM）和存内计算（Computing in Memory, CIM）。存内计算即狭义的存算一体。在芯片设计过程中，不再区分存储单元和计算单元，真正的完成存算融合。

针对存内计算存储器件，白皮书对静态随机存储器（SRAM）、NORFlash、阻变随机存储器（RRAM）、磁性随机存储器（MRAM）、相变存储器（PCM）五种主流的存储器件及其存内计算进行了描述和对比分析。

当前NORFlash、SRAM等传统器件相对成熟，可率先开展存内计算产品化落地推动。新型器件中RRAM各指标综合表现较好，MRAM寿命和读写性能较好，均有各自独特优势与发展的潜在能力，可持续推动器件成熟，同步进行存内计算探索。PCM新器件成熟度相比来说较高，当前已可应用于近存计算研究，不过其寿命、能耗指标较RRAM无优势，预计存内计算潜力稍弱，未来可能更多作为存储器辅助存算一体整体技术发展。建议产业未来展开多路径探索，实现各方案优势互补，推动整体产业发展

与传统方案相比，存内计算在功耗、计算效率等方面有着非常明显优势，在相同制程工艺下，存内计算芯片能在单位面积下提供更高的算力，更低的功耗，进而延长设备上班时间，将在端侧具有广阔应用前景，将大范围的应用于家庭网关、工业网关、摄像头、可穿戴设备等场景。

当前存内计算产品已成功在端侧初步商用，提供语音、视频等AI处理能力，并获得十倍以上的能效提升，大大降低了端侧成本。

与传统方案相比，存算一体在深度学习等领域有独特优势，能够给大家提供比传统设备高几十倍的算效比，此外存内计算芯片通过架构创新能够给大家提供综合性能全面兼顾的芯片及板卡，预计将在边侧推理场景中存在广泛的应用，为广泛的边缘AI业务提供服务。

存内计算可通过多核协同集成大算力芯片，结合可重构设计打造通用计算架构，存内计算作为智算中心下一代关键AI芯片技术，正面向大算力、通用性、高计算精度等方面持续演进，有望为智算中心提供绿色节能的大规模AI算力。

中国移动结合算力网络业务发展诉求，提出存内计算发展建议，与业界共进，加速产业化进程：

白皮书最后，中国移动作为算力网络新发展理念的引领者和实践者，提出了针对技术、产业、生态三个方面的倡议。知存科技作为存内计算领域的企业先行者，将响应倡议，继续联合各环节产业链条，共同攻关存算一体核心技术、共同加快存算一体产业成熟、一同推动存算一体生态繁荣，助力国家实现计算领域的原创科学技术创新和引流。

5.打造晶圆制造国产化关键一环盛美上海推出Ultra Pmax™️ PECVD设备；

集微网消息，据SEMI最新多个方面数据显示，伴随着半导体市场的逐步扩大，2022年全球晶圆厂设备支出预计将同比增长约9%，达到990亿美元的历史上最新的记录，半导体设备市场潜力巨大。

在半导体设备中，光刻机、刻蚀机与薄膜沉积设备并称为三大主设备。其中薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，包括 CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备/电镀设备和ALD（原子层沉积）设备。随着逻辑和存储芯片对制造工艺标准的不断的提高，催生了薄膜沉积设备更多的需求。摩尔定律下逻辑芯片需要采用多重曝光工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小线宽。此外NAND制造工艺从2D向3D转化，堆叠层数也从现在的128层，向500层及以上发展，产品结构和层数逐渐复杂化。这使得薄膜沉积设备需求成倍增长。

作为国内少数具有一定国际竞争力的半导体专用设备供应商，盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）成功推出AP、LPCVD及ALD立式炉设备以后，又于近日推出了Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，并计划于几周内向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。

据介绍，Ultra PmaxTMPECVD设备配备了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，可提供更好的薄膜均匀性，更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。该设备是采用单腔体模块化设计，有两种配置：一种是可以配置一至三腔体模块，适合极薄膜层或快速工艺步骤；另一种是可以配置四至五腔体模块，在优化产量的同时，支持厚膜沉积以及更长的工艺时间。以上两种配置中，每个腔体都安装有多个加热卡盘，以优化工艺控制并提高产能。

盛美上海首席执行官王坚提到，Ultra PmaxTMPECVD设备的推出，标志着盛美上海在前道半导体应用中进一步扩展到了全新的工艺领域。事实上，盛美上海有很多客户是28纳米及以上的逻辑器件供应商，而盛美上海预测到了成熟工艺节点产能的增加，因为中国市场的成熟工艺节点产能明显供不应求。因此，盛美上海进军化学气相沉积（CVD）领域，抓住了这一重要的市场机会。此外，王坚还表示，通过推出这款PECVD设备，盛美上海在满足全球先进逻辑和存储芯片市场的同时，也将更好地服务于全球客户。再加上上个月发布的前道涂胶显影设备Ultra Lith，这两个全新的产品系列使公司全球可服务市场规模翻倍增加。

除了在化学气相沉积市场有所涉足，盛美上海还一直专注于单晶圆及槽式湿法清理洗涤设施、电镀设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备的研发和制造，助力半导体制造商提升生产效率和产品良率。

从国内市场来看，半导体产业国产化进程的提速对未来半导体设备有着旺盛的需求。据集微咨询统计，在今年8月份的晶圆厂招标中，国内设备厂商合计中标329台设备，占中标设备总数的33.6%。可见国产半导体设备验证/导入进程正在不断加快，半导体设备将是未来的长周期优质赛道。

在全球市场不断扩张及各国政府重视半导体发展的因素下，半导体设备国产化也迎来新的机遇。目前以盛美上海为代表的国内半导体设备商的崛起将在这波潮流下大力提高自身的竞争力，有能力参与全球竞争，为半导体产业的全球化健康发展注入新的动力。

12月9日，2021年度上海市质量金奖颁奖仪式举行，上海市委常委、副市长张为出席颁奖仪式并为艾为颁发“2021年度上海市质量金奖”荣誉奖牌，艾为电子董事长孙洪军上台领奖。艾为凭借“全过程数字化”质量管控模式获此殊荣，同时也是获奖企业中唯一一家集成电路企业。

据悉，上海市政府质量奖最早设立于2001年，是上海市质量领域的最高荣誉。上海市政府质量奖包括“上海市市长质量奖”和“上海市质量金奖”两个奖项，其中上海市质量金奖主要表彰质量管理上的水准优秀、创新性、示范性、推广性处于本市同行业内领头羊的先进质量管理模式, 以及对推动相关行业高质发展做出重要贡献的先进质量管理成果。

此次荣获上海市质量金奖是艾为继荣获闵行区最高质量荣誉“2020年度闵行区区长质量奖金奖组织”之后的再一次质量荣誉升级，也是艾为坚持贯彻“以技术创新和品质卓越，实现客户满意”的方针，以规范的技术开发管理流程与鼓励创新的机制，孕育核心技术和先进产品的重要成果体现。

“品质是艾为的自尊心”，自成立以来，艾为从始至终坚持对卓越品质的追求，不断探索创新质量管理模式，坚持以大数据推动公司管理向智能化数字化转型，即利用数字化管理系统将公司各业务过程进行串联，实现端到端数字化互通管理，提升企业质量管理水平。

公司运用大数据技术关联互通，通过CRM（客户关系管理系统），PLM（产品研究开发管理系统），SRM( 供应商管理系统 )，SAP、MES 系统（生产管理），WMS（库存管理系统），OA（自动化办公系统）以及BI（数字化可视系统）等系统建立统一的数字化平台，实现从客户关系客户的真实需求管理、产品研究开发管理、供应链管理、生产管理、库存出货管理、售后管理等全过程数字化、可视化智能管理，逐步降低管理成本，提升管理效能，为公司产品多元化、规模化发展持续助力，为公司在车规级芯片领域的市场拓展添砖加瓦。

在“全过程数字化”质量管控模式的引领下，艾为实验中心成功获得CNAS认可证书（戳此回顾：【新闻】国家级认证加持！艾为实验中心获CNAS认可证书），在多个专业维度达到ISO/IEC 17025国际标准水平，专业能力与国际接轨。

在自主开发的MES（Manufacturing Execution System，制造执行系统）和EAP（Equipment Automation Program，设备自动化）两大系统的护航下，艾为集成电路技术实验中心成功获评闵行区数字化车间称号（戳此回顾：【新闻】艾为集成电路技术实验中心获评闵行区数字化车间）。