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【NAURA CCP GO】推动半导体产业高水平发展北方华创发布国产12英寸双大马士革CCP刻蚀机

【NAURA CCP GO】推动半导体产业高水平发展北方华创发布国产12英寸双大马士革CCP刻蚀机

时间: 2024-03-17 02:57:40 |   作者; 雷火竞猜官网app下载

    近日,北方华创002371)正式对外发布新品——12英寸电容耦合等离子体介质刻蚀机Accura LX,该机台主要覆盖逻辑领域多个技术节点中以AIO (双大马士革刻蚀工艺)、Contact (接触孔

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  近日,北方华创002371)正式对外发布新品——12英寸电容耦合等离子体介质刻蚀机Accura LX,该机台主要覆盖逻辑领域多个技术节点中以AIO (双大马士革刻蚀工艺)、Contact (接触孔)为代表的关键介质刻蚀制程,并可扩展到存储领域的CMOS (互补金属氧化物半导体)相关制程,适用于Low-K(低介电常数)介质及常规介质材料的刻蚀工艺。

  刻蚀机作为半导体制造产业链中的关键技术装备,其发展水平直接影响着集成电路的微细化程度、性能提升与良率控制,是推动半导体产业实现高水平发展的核心驱动力。随着国内逻辑芯片产能扩充,业内对12英寸关键制程介质刻蚀机的需求量增加,同时国内存储芯片技术慢慢的提升及产能持续扩充,也将带动相当数量的CMOS关键制程介质刻蚀机需求。

  为推动半导体产业高水平质量的发展,北方华创组建专业开发团队开发面向关键制程的12英寸介质刻蚀机Accura LX,其工艺性能已优于当前行业指标:通过Continue plasma (连续等离子体)设定及传送流程的优化,可在保证产品良率的同时实现更高产能;通过Shower head (进气硅电极) 高密度开孔率设计,可实现优异的产品均匀性及降低设备Fatal arcing(致命性打火)风险;此外,机台搭配多种形式的射频脉冲功能,实现了对Mask (掩膜)及Stop layer (停止层)的高选择比,并减少器件损伤;采用的多区气源流量控制及温度调节设计,可实现微区域的精准化调节,实现用户定制化需求。Accura LX设备优异的性能已得到多个客户的青睐,目前已完成多项工艺验证。

  Accura LX设备作为北方华创推出的12英寸双大马士革CCP(电容耦合等离子体)介质刻蚀产品,为北方华创开拓了一个全新的商品市场领域,能够与现有的12英寸硅、金属刻蚀机形成完整的刻蚀工艺解决方案。同时,Accura LX所搭建的12英寸CCP刻蚀机硬件架构和技术平台,能够适用于存储、CIS (互补金属氧化物半导体图像传感器)、Power(功率半导体)等多个领域,应用前景广阔。

  未来,北方华创将依托深厚的技术积累和研发能力,持续深耕介质刻蚀领域设备市场,不停地改进革新和优化介质刻蚀设备性能,推动集成电路制造的精度、良率和产能提升,进而满足新一代信息技术产品对高性能芯片的迫切需求,推动产业进步,创造无限可能。

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