半导体制造之光刻工艺解说

时间: 2024-04-06 14:30:13 |   作者; 雷火竞猜官网首页

  制造所需求的线路与功用做出来。运用***宣布的光经过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质改变，然后使光罩上得图形复印到薄片上，然后使薄片具有图的作用。这便是光刻的作用，相似照相机照相。照相机拍照的相片是印在底片上，而光刻刻的不是相片，而是电路图和其他电子元件。

  光刻胶又名光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。光刻胶遭到特定波长光线的作用后，这类资料具有光（包含可见光、紫外光、电子束等）反响特性，导致其化学结构发生改变，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性发生明显改变，即经显影液后溶解度下降甚至不溶，得到的图画与掩膜版相反。有正性和负性光刻胶之分（正胶：光照区被显影掉，负胶则相反），咱们所运用光刻胶均为正胶。

  光刻胶作为影响光刻作用中心要素之一，是电子工业的要害资料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种首要成分组成，是一种具有光化学灵敏性的混合液体。其运用光化学反响，经曝光、显影等光刻工艺，将所需求的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，是用于微细加工技能的要害性电子化学品。影响光刻胶厚度的重要的要素：光刻胶自身的粘度和匀胶转速，关于一款已确认的光刻胶，转速是厚度的决定性要素。

  光刻工艺是半导体等精细电子器件制造的中心流程，工艺流程包含：来料清洗，烘干，HDMS增粘，冷板，涂胶，前烘，冷板，去边，曝光，后烘，冷板，显影，清洗，坚膜。光刻工艺经过上述流程将具有纤细几何图形结构的光刻胶留在衬底上，再经过刻蚀等工艺将该结构转移到衬底上。

  首要的点评参数包含CD和Overlay。Overlay是指在光刻进程中，不同层之间图画的对准精度，其对准误差与良率相关。芯片上的物理尺度特征被称为特征尺度，其间最小的特征尺度CD称为要害尺度，其巨细代表了半导体制造工艺的复杂性水平。

  Overlay是光刻进程中不同层之间图画的对准精度，对准误差与良率相关。芯片上的物理尺度特征被称为特征尺度，其间最小的特征尺度CD称为要害尺度，其巨细代表了半导体制造工艺的复杂性。Overlay也能够称为光学附近效应。

  光刻胶的感光规模一般坐落200nm-500nm，在这个规模内的光线能够使光刻胶发生化学反响。200-500nm的光线有紫外线，紫光，蓝光。所以这三种光线在光刻区是一点也不能存在的。

  黄光的波长远离UV规模，因而不或许会引起光刻胶的意外曝光。黄光灯一般不含有紫外线，然后维护光敏资料免受不必要的曝光。

  黄光比白光或其他色彩的光更柔软，因而它不太或许在设备或晶圆的外表发生扎眼的反射或眩光。这有助于操作员更精确地进行作业。

  运用黄光能保证在光刻进程中，色彩灵敏的化学品或其他资料的色彩不会遭到其他光源的影响或失真。这有助于操作员更精确地判别和处理资料，保证制造的完好进程的一致性。

  相关于其他光源，黄光对人眼更为友爱，尤其是在长期的操作下。削减眼睛的疲惫和影响，关于长期在光刻区作业的职工来说，这一点十分重要。

  别的来说红光和绿光的波长都大于500nm，尽管红光和绿光对光刻胶没影响，可是对人员的影响很大。红光或许使细节更难以辨认，而绿光或许对眼睛发生更多的眩光。

  光刻室的照明并不满是纯黄光，而或许是黄色到橙色的混合，要害是这些波长的光不会对光刻胶构成不必要的曝光。

  a、显影不完全（Incomplete Development）。外表还残留有光刻胶。显影液缺乏构成；

  b、显影不行（Under Development）。显影的侧壁不笔直，由显影时刻缺乏构成；

  c、过度显影（Over Development）。接近外表的光刻胶被显影液过度溶解，构成台阶。显影时刻太长。