继蚀刻机全球领先后高能离子注入机打破垄断！光刻机也开始合围

  我国的芯片主要依赖进口，每年的芯片进口额度超过了石油，在进口商品中位列第一。世界上每生产5块芯片，中国就买走了3块。而芯片生产最重要的包含设计和制造，芯片设计我国已达到领先水平，关键就是制造落后。而芯片制造中设备是关键，这中间还包括光刻机、蚀刻机、离子注入机等等，这些设备我们都在研发突破

  光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造高端芯片，这两个设备都必须顶尖。相对光刻来说，刻蚀相对简单，但要将精度提升到5nm，那也是相当不容易的。我国在蚀刻机领域已经突破，中微半导体的5nm蚀刻机已通过台积电验证，并将用于今年的5nm芯片生产。中微的5nm蚀刻机，能够说是继华为5G之后，完全自主研发的顶尖技术。

  国外曾经将蚀刻机列入禁止出售我国行列，但在中微突破之后，立即取消限制并大幅降价！现在，中微半导体可以自主生产5nm蚀刻机，达到世界领先！这一切其实都要致敬中国第一代科研人一一年近60岁的尹志尧博士，带领众多优秀海归人才，回国创办了中微半导体，在团队对科技的不断探索下，短短10多年的时间，就攻破了5nm蚀刻机的瓶颈，让中国科技再一次实现了反超越！

  离子注入机是芯片制造中仅次于光刻机、蚀刻机的关键装备。那么离子注入机在芯片制作的完整过程中起啥作业呢？芯片制造时，需要掺入不一样的种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机即是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。

  而今天我们要介绍取得突破的是高能离子注入机，这是离子注入机中技术难度最大的机型。长久以来，因其极大的研发难度和较高的行业竞争壁垒，被称为离子注入机领域的 “珠穆朗玛峰”，是我国集成电路制造装备产业链上亟待攻克的关键一环。

  近日喜报传来，新华社报道，中国电子科技集团宣布，由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功，实现百万电子伏特高能离子加速，性能达到国际领先水平。将在年底前推出首台高能离子注入机，并可以为全球芯片制造公司可以提供离子注入机成套解决方案。

  光刻机是芯片制造中最关键的设备，而高端光刻机现在被荷兰垄断，也就是所说的EUV光刻机。由于我国受到《瓦森纳协定》的限制，很多高端技术被封锁，光刻机也是其中之一，再加上米国的限制，中芯国际2018年底全款订购的一台EUV光刻机，按计划应于去年底到货，到现在依然没有！不过，我国上海微电子也很争气，28nm光刻机预计明年出货，以前生产的90nm光刻机也是我国的中流砥柱，因为大部分的芯片不用那么高精度，这样我们的国防设备和大部分电子工业已经能够满足！

  但我们依然在向高端EUV光刻机进军，因为高配置手机和先进的5G依然会用到。其实，我国在EUV光刻机上的技术积累已是超过20多年了，别以为今天是仓促应战的！现在慢慢的开始向EUV领域展开全面合围，哈工大研发成功EUV光源，华卓精科突破双工件台，国旺突破光学镜头，极紫外光刻（EUV）关键技术探讨研究在长春光机所通过验收。这些都表明，我国的高端光刻机正在突破，造出EUV光刻机不是没有可能！

  结语：原来由于“造不如买”的错误认识，加上国外对我国的技术封锁，导致我国在芯片行业的落后。直到国外的不断“卡脖子”封锁，我们才意识到掌握核心科技的重要。然而因为欠帐太多，并且国外已发展多年，我们想追赶，连市场验证的机会都很小。现在因为米国的制裁加剧，我国芯片行业各领域迅猛发展，慢慢地增加自主研发，差距正在逐渐缩小，只要有信心，一切皆有可能，因为我们已攻破了太多西方认为不可能的科技了！